PMCPB5530X,115 - MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON

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MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
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Spécifications pour PMCPB5530X,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMCPB5530X,115
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : -
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Ta), 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21.7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 10V
Puissance - Max : 490mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-HUSON-EP (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PMCP , PMCPB55

Documents pour PMCPB5530X,115

Feuilles de données : PMCPB5530X,115.pdf

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