IPS65R1K0CEAKMA1 - MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3

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MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
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Spécifications pour IPS65R1K0CEAKMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPS65R1K0CEAKMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
Séries : CoolMOS™ CE
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 328pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 37W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-251
Paquet / caisse : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPS65 , IPS65R1K

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Feuilles de données : IPS65R1K0CEAKMA1.pdf

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