K4F2E3S4HA-GHCL - 12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Référence fabricant

K4F2E3S4HA-GHCL

Numéro de pièce interne

AX-K4F2E3S4HA-GHCL

Fabricant

Samsung Semiconductor

Brève description

12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour K4F2E3S4HA-GHCL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : K4F2E3S4HA-GHCL

Fabricant : Samsung Semiconductor

La description : 12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Séries : DDR3

Densité : 12 Gb

Org. : x32

La vitesse : 4266 Mbps

Tension : 1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temp. : -40 ~ 105 °C

Paquet : 200FBGA

État du produit : Mass Production

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : K4F2E , K4F2E3S

Documents pour K4F2E3S4HA-GHCL

Feuilles de données : K4F2E3S4HA-GHCL.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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