IRF6609TR1PBF - MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRF6609TR1PBF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRF6609TR1PBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
31A (Ta), 150A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.45V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
6290pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DIRECTFET™ MT
Paquet / caisse :
DirectFET™ Isometric MT
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRF6609TR1PBF
Feuilles de données :
IRF6609TR1PBF.pdf
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