BSP149 E6906 - MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-BSP149 E6906
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSP149 E6906
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSP149 E6906
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 660mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 400µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 430pF @ 25V
Caractéristique FET : Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT223-4
Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BSP149 E6906
Feuilles de données : BSP149 E6906.pdf
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