TN5325K1-G - MOSFET N-CH 250V SOT23-3
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TN5325K1-G
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 250V SOT23-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TN5325K1-G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TN5325K1-G
Fabricant : Microchip Technology
La description : MOSFET N-CH 250V SOT23-3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 150mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 360mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-236AB (SOT23)
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TN5325K1-G
Feuilles de données : TN5325K1-G.pdf
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