IS42RM32800E-75BLI - IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IS42RM32800E-75BLI
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IS42RM32800E-75BLI
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description : IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile
Taille mémoire : 256Mb (8M x 32)
Fréquence d'horloge : 133MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 6ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.3V ~ 3V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 90-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 90-TFBGA (8x13)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IS42RM32800E-75BLI
Feuilles de données : IS42RM32800E-75BLI.pdf
Produits associés pour IS42RM32800E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 4700PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 2500PF 25KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 40KV AXIAL. | ||
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