MSRTA20060(A)D - DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour MSRTA20060(A)D
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MSRTA20060(A)D
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
La description :
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Configuration de la diode :
1 Pair Series Connection
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) :
200A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1.1V @ 200A
La vitesse :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
-
Courant - Fuite inverse @ Vr :
10µA @ 600V
Température de fonctionnement - Jonction :
-55°C ~ 150°C
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
Three Tower
Package d'appareils du fournisseur :
Three Tower
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour MSRTA20060(A)D
Feuilles de données :
MSRTA20060(A)D.pdf
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