A2G35S160-01SR3 - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour A2G35S160-01SR3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : A2G35S160-01SR3
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : LDMOS
La fréquence : 3.4GHz ~ 3.6GHz
Gain : 15.7dB
Tension - Test : 48V
Note actuelle : -
Figure de bruit : -
Courant - Test : 190mA
Puissance - sortie : 51dBm
Tension - nominale : 125V
Paquet / caisse : NI-400S-2S
Package d'appareils du fournisseur : NI-400S-2S
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour A2G35S160-01SR3
Feuilles de données : A2G35S160-01SR3.pdf
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