TSM650P02CX RFG - MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

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MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
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Spécifications pour TSM650P02CX RFG

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TSM650P02CX RFG
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 515pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.56W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TSM65 , TSM650P

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Feuilles de données : TSM650P02CX RFG.pdf

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