FQPF9P25YDTU - MOSFET P-CH 250V 6A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FQPF9P25YDTU
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 250V 6A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FQPF9P25YDTU
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FQPF9P25YDTU
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 250V 6A
Séries : QFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 620 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1180pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FQPF9P25YDTU
Feuilles de données : FQPF9P25YDTU.pdf
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