TPH6R30ANL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TPH6R30ANL,L1Q

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TPH6R30ANL,L1Q
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Séries : U-MOSVIII-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 66A (Ta), 45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4300pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP Advance (5x5)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TPH6 , TPH6R30

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