HN3C10FUTE85LF - RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
59946 Pieces
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Spécifications pour HN3C10FUTE85LF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
HN3C10FUTE85LF
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de transistor :
2 NPN (Dual)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) :
12V
Fréquence - Transition :
7GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) :
1.1dB @ 1GHz
Gain :
11.5dB
Puissance - Max :
200mW
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
80mA
Température de fonctionnement :
-
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur :
US6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour HN3C10FUTE85LF
Feuilles de données :
HN3C10FUTE85LF.pdf
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