JAN2N6798 - MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-JAN2N6798
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
17920 Pieces
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Spécifications pour JAN2N6798
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
JAN2N6798
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Séries :
Military, MIL-PRF-19500/557
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
42.07nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
800mW (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-39
Paquet / caisse :
TO-205AF Metal Can
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour JAN2N6798
Feuilles de données :
JAN2N6798.pdf
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