CSD19537Q3 - MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

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MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
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Spécifications pour CSD19537Q3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CSD19537Q3
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1680pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-VSON (3.3x3.3)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
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