PMN55LN,135 - MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PMN55LN,135
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
62255 Pieces
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Spécifications pour PMN55LN,135
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
PMN55LN,135
Fabricant :
NXP USA Inc.
La description :
MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP
Séries :
TrenchMOS™
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
13.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
500pF @ 20V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.75W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
6-TSOP
Paquet / caisse :
SC-74, SOT-457
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour PMN55LN,135
Feuilles de données :
PMN55LN,135.pdf
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