SI6562CDQ-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
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MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI6562CDQ-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI6562CDQ-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N and P-Channel
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
6.7A, 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 10V
Puissance - Max :
1.6W, 1.7W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-TSSOP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI6562CDQ-T1-GE3
Feuilles de données :
SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
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EPCOS (TDK) |
CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 6000PF 20KV SCREW. |
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CAP CER 220PF 100V BP 1805. |
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CAP CER 100PF 16KV DISK. |
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