SI6562CDQ-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
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MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI6562CDQ-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI6562CDQ-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.7A, 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 10V
Puissance - Max : 1.6W, 1.7W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-TSSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI6562CDQ-T1-GE3
Feuilles de données : SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
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