IXDI602SI - 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IXDI602SI

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXDI602SI
Fabricant : IXYS Integrated Circuits Division
La description : 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration pilotée : Low-Side
Type de canal : Independent
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 4.5V ~ 35V
Tension logique - VIL, VIH : 0.8V, 3V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 2A, 2A
Type d'entrée : Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : -
Temps de montée / descente (type) : 7.5ns, 6.5ns
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC-EP
Poids : -
État : Nouveau et original
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