APTM120U10SCAVG - MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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66785 Pieces
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Spécifications pour APTM120U10SCAVG
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
APTM120U10SCAVG
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Séries :
POWER MOS 7®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
116A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 20mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
1100nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
28900pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3290W (Tc)
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SP6
Paquet / caisse :
SP6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour APTM120U10SCAVG
Feuilles de données :
APTM120U10SCAVG.pdf
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