IPN60R2K1CEATMA1 - MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

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MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPN60R2K1CEATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPN60R2K1CEATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 60µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 100V
Caractéristique FET : Super Junction
Dissipation de puissance (max) : 5W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT223
Paquet / caisse : SOT-223-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPN60 , IPN60R2K

Documents pour IPN60R2K1CEATMA1

Feuilles de données : IPN60R2K1CEATMA1.pdf

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