EPC2012 - GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EPC2012
Fabricant
Brève description
GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
10072 Pieces
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Spécifications pour EPC2012
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EPC2012
Fabricant : EPC
La description : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
Séries : eGaN®
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de FET : N-Channel
La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 145pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Die
Paquet / caisse : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour EPC2012
Feuilles de données : EPC2012.pdf
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