BSC019N06NSATMA1 - DIFFERENTIATED MOSFETS

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
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DIFFERENTIATED MOSFETS
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSC019N06NSATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSC019N06NSATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIFFERENTIATED MOSFETS
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 74µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5.25nF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 136W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TDSON-8 FL
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSC01 , BSC019N0

Documents pour BSC019N06NSATMA1

Feuilles de données : BSC019N06NSATMA1.pdf

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