FDD9409L-F085 - NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM

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NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM
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Spécifications pour FDD9409L-F085

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDD9409L-F085
Fabricant : ON Semiconductor
La description : NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3360pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150W (Tj)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDD9 , FDD940

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Feuilles de données : FDD9409L-F085.pdf

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