PTFA191001EV4XWSA1 - IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
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Brève description
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PTFA191001EV4XWSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PTFA191001EV4XWSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de transistor : LDMOS
La fréquence : 1.96GHz
Gain : 17dB
Tension - Test : 30V
Note actuelle : 10µA
Figure de bruit : -
Courant - Test : 900mA
Puissance - sortie : 44dBm
Tension - nominale : 65V
Paquet / caisse : 2-Flatpack, Fin Leads
Package d'appareils du fournisseur : H-36248-2
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PTFA191001EV4XWSA1
Feuilles de données : PTFA191001EV4XWSA1.pdf
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