IPD80R1K4CEATMA1 - MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

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MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
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Spécifications pour IPD80R1K4CEATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPD80R1K4CEATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 240µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 570pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 63W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPD80 , IPD80R1K

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Feuilles de données : IPD80R1K4CEATMA1.pdf

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