DGD0590FU-7 - IC GATE DRV HALFBRD QFN3030-8 3K

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IC GATE DRV HALFBRD QFN3030-8 3K
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Spécifications pour DGD0590FU-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DGD0590FU-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : IC GATE DRV HALFBRD QFN3030-8 3K
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration pilotée : Half-Bridge
Type de canal : Independent
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 4.5V ~ 5.5V
Tension logique - VIL, VIH : 1V, 3.3V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 1A, 3A
Type d'entrée : Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 50V
Temps de montée / descente (type) : 27ns, 29ns
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-VQFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : V-QFN3030-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DGD , DGD05

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