SI4158DY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC
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Brève description
MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI4158DY-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI4158DY-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
36.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
132nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
5710pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3W (Ta), 6W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-SO
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI4158DY-T1-GE3
Feuilles de données :
SI4158DY-T1-GE3.pdf
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