D650N02TXPSA1 - DIODE GEN PURP 200V 650A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 200V 650A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
15072 Pieces
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Spécifications pour D650N02TXPSA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
D650N02TXPSA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
DIODE GEN PURP 200V 650A
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
650A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
950mV @ 450A
La vitesse :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
-
Courant - Fuite inverse @ Vr :
20mA @ 200V
Capacité @ Vr, F :
-
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
DO-200AA, A-PUK
Package d'appareils du fournisseur :
-
Température de fonctionnement - Jonction :
-40°C ~ 180°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour D650N02TXPSA1
Feuilles de données :
D650N02TXPSA1.pdf
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