SSM6J212FE,LF - MOSFET P-CH 20V 4A ES6
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Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM6J212FE,LF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SSM6J212FE,LF
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Séries :
U-MOSVI
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40.7 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
14.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
970pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
500mW (Ta)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
ES6
Paquet / caisse :
SOT-563, SOT-666
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SSM6J212FE,LF
Feuilles de données :
SSM6J212FE,LF.pdf
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