AS4C4M16SA-6TCN - IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
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Brève description
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C4M16SA-6TCN
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C4M16SA-6TCN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM
Taille mémoire : 64Mb (4M x 16)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 2ns
Temps d'accès : 5.4ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 54-TSOP II
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C4M16SA-6TCN
Feuilles de données : AS4C4M16SA-6TCN.pdf
Produits associés pour AS4C4M16SA-6TCN Alliance Memory, Inc.
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7600PF 14KV SCREW. | ||
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