PMDPB58UPE,115 - MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
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MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PMDPB58UPE,115
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMDPB58UPE,115
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 804pF @ 10V
Puissance - Max : 515mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-HUSON-EP (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PMDPB58UPE,115
Feuilles de données : PMDPB58UPE,115.pdf
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