TPC8212-H(TE12LQ,M - MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

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MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TPC8212-H(TE12LQ,M

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TPC8212-H(TE12LQ,M
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 10V
Puissance - Max : 450mW
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP (5.5x6.0)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TPC821 , TPC8212-H

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