IXTM11N80 - POWER MOSFET TO-3

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POWER MOSFET TO-3
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IXTM11N80

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTM11N80
Fabricant : IXYS
La description : POWER MOSFET TO-3
Séries : GigaMOS™
Statut de la pièce : Last Time Buy
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-204AA
Paquet / caisse : TO-204AA, TO-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXT , IXTM

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