PMZB150UNEYL - MOSFET N-CH 20V SOT883

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MOSFET N-CH 20V SOT883
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Spécifications pour PMZB150UNEYL

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMZB150UNEYL
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 20V SOT883
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 93pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DFN1006B-3
Paquet / caisse : 3-XFDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PMZB , PMZB15

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