R6002END3TL1 - NCH 600V 2A POWER MOSFET
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-R6002END3TL1
Fabricant
Brève description
NCH 600V 2A POWER MOSFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour R6002END3TL1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : R6002END3TL1
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : NCH 600V 2A POWER MOSFET
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 65pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 26W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour R6002END3TL1
Feuilles de données : R6002END3TL1.pdf
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