IS42S32800D-75EB - IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
59724 Pieces
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Spécifications pour IS42S32800D-75EB
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IS42S32800D-75EB
Fabricant :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description :
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM
Taille mémoire :
256Mb (8M x 32)
Fréquence d'horloge :
133MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
5.5ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement :
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
90-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
90-TFBGA (8x13)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IS42S32800D-75EB
Feuilles de données :
IS42S32800D-75EB.pdf
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CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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