IDB18E120ATMA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
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Brève description
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IDB18E120ATMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IDB18E120ATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 31A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 2.15V @ 18A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 195ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IDB18E120ATMA1
Feuilles de données : IDB18E120ATMA1.pdf
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