STH315N10F7-2 - MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour STH315N10F7-2
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STH315N10F7-2
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Séries : Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 12800pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 315W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : H2Pak-2
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour STH315N10F7-2
Feuilles de données : STH315N10F7-2.pdf
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