IPG20N06S2L50AATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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757930 Pieces
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Spécifications pour IPG20N06S2L50AATMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IPG20N06S2L50AATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Séries :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 19µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
560pF @ 25V
Puissance - Max :
51W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TDSON-8-10
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IPG20N06S2L50AATMA1
Feuilles de données :
IPG20N06S2L50AATMA1.pdf
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