JANTXV2N6770T1 - MOSFET N-CH
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour JANTXV2N6770T1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : JANTXV2N6770T1
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET N-CH
Séries : Military, MIL-PRF-19500/543
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 4W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-254AA
Paquet / caisse : TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour JANTXV2N6770T1
Feuilles de données : JANTXV2N6770T1.pdf
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