VS-GB90SA120U - TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour VS-GB90SA120U

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : VS-GB90SA120U
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : NPT
Configuration : Single
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 149A
Puissance - Max : 862W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 75A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 250µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : -
Contribution : Standard
Thermistance NTC : No
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SOT-227-4
Package d'appareils du fournisseur : SOT-227
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : VS-G , VS-GB9

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Feuilles de données : VS-GB90SA120U.pdf

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