AS4C64M16MD1-6BIN - IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C64M16MD1-6BIN
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C64M16MD1-6BIN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Taille mémoire : 1Gb (64M x 16)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 5ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 60-FBGA (8x10)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C64M16MD1-6BIN
Feuilles de données : AS4C64M16MD1-6BIN.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7600PF 20KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7600PF 18KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 32KV R85. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 40KV AXIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Vitramon | CAP CER 3300PF 100V BX 0805. | ||
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