SIDC24D30SIC3 - DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
12280 Pieces
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Spécifications pour SIDC24D30SIC3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIDC24D30SIC3
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Séries : -
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 300V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 10A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 200µA @ 300V
Capacité @ Vr, F : 600pF @ 1V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Sawn on foil
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SIDC24D30SIC3
Feuilles de données : SIDC24D30SIC3.pdf
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