SIDC24D30SIC3 - DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
12280 Pieces
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Spécifications pour SIDC24D30SIC3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SIDC24D30SIC3
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Séries :
-
Statut de la pièce :
Discontinued at Digi-Key
Type de diode :
Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
300V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
10A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1.7V @ 10A
La vitesse :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
200µA @ 300V
Capacité @ Vr, F :
600pF @ 1V, 1MHz
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
Die
Package d'appareils du fournisseur :
Sawn on foil
Température de fonctionnement - Jonction :
-55°C ~ 175°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SIDC24D30SIC3
Feuilles de données :
SIDC24D30SIC3.pdf
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