AS4C64M8D3-12BIN - IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C64M8D3-12BIN
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C64M8D3-12BIN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR3
Taille mémoire : 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge : 800MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 20ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.425V ~ 1.575V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 78-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 78-FBGA (8x10.5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C64M8D3-12BIN
Feuilles de données : AS4C64M8D3-12BIN.pdf
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