2N6661-E3 - MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-2N6661-E3
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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19920 Pieces
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Spécifications pour 2N6661-E3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
2N6661-E3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
90V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
860mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-39
Paquet / caisse :
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour 2N6661-E3
Feuilles de données :
2N6661-E3.pdf
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