SIB914DK-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

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MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
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Spécifications pour SIB914DK-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIB914DK-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.6nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 125pF @ 4V
Puissance - Max : 3.1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : PowerPAK® SC-75-6L Dual
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-75-6L Dual
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SIB91 , SIB914D

Documents pour SIB914DK-T1-GE3

Feuilles de données : SIB914DK-T1-GE3.pdf

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