RHU003N03FRAT106 - 4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS

Référence fabricant

RHU003N03FRAT106

Numéro de pièce interne

AX-RHU003N03FRAT106

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RHU003N03FRAT106

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RHU003N03FRAT106

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : 4V DRIVE NCH MOSFET CORRESPONDS

Séries : Automotive, AEC-Q101

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 20pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 200mW

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : UMT3

Paquet / caisse : SC-70, SOT-323

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RHU00 , RHU003N0

Documents pour RHU003N03FRAT106

Feuilles de données : RHU003N03FRAT106.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
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