AUIRLR014NTRL - MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
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Brève description
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AUIRLR014NTRL
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AUIRLR014NTRL
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 5V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 265pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 28W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D-PAK (TO-252AA)
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AUIRLR014NTRL
Feuilles de données : AUIRLR014NTRL.pdf
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