IRF6710S2TR1PBF - MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

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MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
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Spécifications pour IRF6710S2TR1PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRF6710S2TR1PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Ta), 37A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1190pF @ 13V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta), 15W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET S1
Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric S1
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IRF67 , IRF6710

Documents pour IRF6710S2TR1PBF

Feuilles de données : IRF6710S2TR1PBF.pdf

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