W632GG6MB-11 - IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-W632GG6MB-11
Fabricant
Brève description
IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
143070 Pieces
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Spécifications pour W632GG6MB-11
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
W632GG6MB-11
Fabricant :
Winbond Electronics
La description :
IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - DDR3
Taille mémoire :
2Gb (128M x 16)
Fréquence d'horloge :
933MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
20ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.425V ~ 1.575V
Température de fonctionnement :
0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
96-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
96-VFBGA (7.5x13)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour W632GG6MB-11
Feuilles de données :
W632GG6MB-11.pdf
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CAP CER 1000PF 40KV. |
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KEMET |
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CAP CER 4000PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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